第504章 纳米和28纳米的区别(1/1)

首发：~第504章 纳米和28纳米的区别

第一步棋刚刚部署完毕，江辰还未及观察其后续效应，芯片问题便接踵而至。

主管芯片事务的李老迅速行动，召集了涵盖国内半导体产业链各关键环节的企业领导，组织了一场紧急碰面会议。

会议的核心议题聚焦于国外芯片技术成功突破至28纳米节点所带来的影响。

在讨论中多家企业代表纷纷发言，表达了当前制程工艺下国内企业所拥有的先发优势。

然而市场环境的微妙变化也给与会者带来了不小的阴霾。

毕竟本来到嘴里的很多订单突然取消转而投向海外的怀抱，大家嘴上不说，心里还是有压力的。

会议结束后，余总随即来到星辰公司，希望能从江辰这里寻得一些破解当前困境的良策。

听完后江辰直接提出了心中的疑问

“菊厂难道没有对国外新推出的28纳米芯片进行详细的拆解和分析吗？”

余总听后，脸上露出困惑的表情，反问道

“既然都是28纳米的技术水平，顶多是在工艺制程的细节处理和良品率上有所差异，我们还有必要再去分析吗？

江辰你这么说，其中是有什么蹊跷？”

江辰此刻顿时明了，原来众人对于海外芯片技术的最新进展存在误解，压根就是只看了宣布公告。

他轻轻点头，接着详细阐述道

“在那则消息公布之后，我迅速获取了相关芯片，并着手进行了拆解分析，海外其实并未完全攻克28纳米制程工艺的技术难关。

而是通过采用芯片堆叠技术，并结合一定程度的技术创新，才使得芯片性能达到了相当于28纳米的新高度。

不过根据我的判断，他们距离真正实现28纳米制程的全面突破也不远了。”

余总闻言，眼睛逐渐瞪大，一脸惊愕，半晌没有回过神来。

江辰见状，继续说道

“因此针对这一情况，我们的应对策略也就清晰了。既然对方能够利用堆叠技术达到28纳米水平，那么我们同样可以借鉴这一策略。”

对面的余总不愧是商场上的老手，闻言立刻领悟了江辰的言外之意，眼中闪过一丝精光，急切地问道

“这么说来，星辰公司是不是在14纳米芯片技术上已经取得了某种程度的进展才让你如此有信心？”

“虽说没有取得那种颠覆性的突破，但堆叠技术对我们来说并非难事，凭借现有的技术水平，完全有能力将其实现。”

江辰平静地陈述道。

在成功完成28纳米制程工艺项目的基础上，孟玉竹就提交了启动14纳米技术研发的申请并获得了批准。

自那以来，已经过去了一年多时间，期间研发团队在多个技术节点上取得了显着进展。

只不过貌似走到了尽头，始终没有革命性的突破，14纳米也就无从谈起。

余总听闻此言，眼神中掠过一抹不易察觉的失望，但很快这抹情绪就被新燃起的兴奋所取代。

此次造访不仅获取了海外芯片技术的第一手真实情况，更重要的是，让他看到了解决问题的新路径。

两人磋商了一番，就技术事宜进行了意见交流。

会谈结束后，余总几乎是迫不及待地站起身来，提出告辞。

他心中已有了明确的计划，

送别了对方，江辰看着离去的背影，心里也想着，既然答应接手了芯片技术的问题，那么学术上的研究就得稍稍延后了。

当他踏入芯片部门，开始深入了解当前项目的进展情况时，一个关键的问题逐渐浮出水面。

他终于知道了为什么14纳米迟迟无法研发成功。

原来在28纳米及其以上制程的芯片技术中，广泛采用的是传统的互补金属氧化物半导体工艺，即人们常说的cmos技术。

cmos作为计算机系统内部的核心组件之一，承担着存储系统最基本数据与指令的重任，是电子设备不可或缺的基石。

然而这项成熟的技术并非没有局限。

随着科技的不断进步，当制程工艺试图向更精细的14纳米乃至更小尺度推进时，cmos技术遇到了难以逾越的瓶颈。

具体而言28纳米成为了cmos工艺能够有效支撑性能提升的极限点。

一旦跨越这个界限，进入更高级的制程领域，就必须对晶体管的结构进行根本性的革新。

因为传统的cmos设计已经无法满足更高精度、更快速度以及更低能耗的工艺需求。

孟玉竹及其团队成员也是卡在了芯片研发的这个环节上，因此进展受阻。

此刻他们全体成员正神情紧张地站在会议桌前，目光不约而同地聚焦在正在审阅资料的董事长江辰身上，空气中弥漫着一种微妙的氛围。

江辰缓缓放下手中的文件，转头将视线投向团队，注意到每个人脸上都挂着略显尴尬而又略带歉意的微笑。

他看着这一幕无奈的苦笑。。

“如果我不亲自来一趟，你们是打算自己咬牙坚持，硬着头皮继续摸索下去吗？”

江辰的话语中带着几分调侃。

孟玉竹被推选为代表，硬着头皮站了出来，声音中带着一丝不自然的笑意

“董事长，您这是说到哪儿去了。我们其实已经给自己设定了一个明确的时间线，如果在接下来的半年里还是无法攻克，那我们就…”

江辰见状，既觉得好笑又有些许无奈，轻轻摇了摇头，打断了孟玉竹的话。

“好了，不必再说了。”

他心中已经有了计较，本来是准备来搞定芯片堆叠技术的，索性帮他们把14纳米结构设计也敲定把。

不然这帮家伙还不知道要撞多少次南墙了。

接下来的几天时间内，江辰先是把项目成立以来所有的技术资料全都捋了一遍。

成员们在很多技术上都有很大的突破。

这样一来的话，一旦奠定好新工艺的结构设计，那么估摸着14纳米芯片技术的突破近在咫尺了。

很快江辰就拿出了一款结构设计，也是后世中14纳米，7纳米乃至5纳米的通用方案。

鳍式场效应管晶体管结构，俗称finfet。

它采用了3d结构增加了接触面积，从而提高了半导体性能并减少了电流泄露。

到这里为止硅基芯片的制程算是快走到极限了。

此外28纳米，14纳米就是目前全球最主要的成熟制程，而大家所熟知的7纳米及以上由于脆弱性其实并不常用。